不揮発性の次世代メモリー「MRAM」

東芝は13日、韓国・ハイニックス社と半導体の次世代メモリー「MRAM」を共同開発することで合意したと発表した。

現在主力のDRAMより、待機時の消費電力が100分の1以下で、電源が切れてもデータを失わないのが特徴だ。両社は韓国の研究施設で開発を進め、2014年の製品化を目指す。

MRAMは、磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリーの略。省電力のうえ、操作中に電源が切れるとデータが失われるDRAMより利便性が高い。韓国のサムスン電子も製品化に意欲を見せ、TDKと米IBMも共同開発を進めるなど、開発競争が激化している。

東芝は01年からMRAMの開発を始めた。材料分野の開発で先行しているが、02年にDRAM事業から撤退しており、DRAMの有力メーカーであるハイニックス社との共同開発で、開発スピードを速められると判断した。

引用元: 次世代メモリー「MRAM」 : ニュース : ネット&デジタル : YOMIURI ONLINE(読売新聞).


よく解らないんだけど、SSDとどういったところが違うんだろうか。
やっぱりアクセス時の速度なのかな?

ただ、ハードディスクと同じく、外部からの磁気には弱いようですな。
Wikipediaより

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不揮発性の次世代メモリー「MRAM」” への2件のコメント

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