東芝は１３日、韓国・ハイニックス社と半導体の次世代メモリー「ＭＲＡＭ」を共同開発することで合意したと発表した。

現在主力のＤＲＡＭより、待機時の消費電力が１００分の１以下で、電源が切れてもデータを失わないのが特徴だ。両社は韓国の研究施設で開発を進め、２０１４年の製品化を目指す。

ＭＲＡＭは、磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリーの略。省電力のうえ、操作中に電源が切れるとデータが失われるＤＲＡＭより利便性が高い。韓国のサムスン電子も製品化に意欲を見せ、ＴＤＫと米ＩＢＭも共同開発を進めるなど、開発競争が激化している。

東芝は０１年からＭＲＡＭの開発を始めた。材料分野の開発で先行しているが、０２年にＤＲＡＭ事業から撤退しており、ＤＲＡＭの有力メーカーであるハイニックス社との共同開発で、開発スピードを速められると判断した。

引用元: 次世代メモリー「ＭＲＡＭ」 : ニュース : ネット＆デジタル : YOMIURI ONLINE（読売新聞）.

よく解らないんだけど、SSDとどういったところが違うんだろうか。
やっぱりアクセス時の速度なのかな？

ただ、ハードディスクと同じく、外部からの磁気には弱いようですな。
（Wikipediaより）

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